半導體芯片成像應用案例
BF
DF
在現代顯微鏡觀察檢驗方法中 , 尤其在工業顯微鏡應用領域，除了常規的明視場BF（Bright field）和暗視場DF(Dark field)觀察方法, 微分干涉相襯觀察法 (DIC：Differential interference contrast) 作為一種新興的觀察檢驗方法。作為檢驗觀察的一種強有力的工具，越來越多的被使用。尤其隨著微電子，平板顯示行業的快速發展，微分干涉觀察法甚至成為某些制程，比如位錯檢查，導電粒子壓合，硬盤制造檢測的關鍵手段。
用DIC模式觀察的1000x放大下的芯片表面（不同的傾斜角度）
諾馬斯基棱鏡可做水平移動調節，類似相位移動的補償器的作用，使視場中物體和背景之間的亮度和干涉顏色發生變化，從而達到理想的觀察效果。
0
2000
3000
4000
6000
8000
9000
10000
熒光觀察是表征芯片表面宏觀缺陷的一種常用手段，通常用來觀察大顆粒污染或者光刻膠涂布等缺陷，同時也可以用來觀察OLED等發光器件。
BF
FLUO
雙通道合成（BF+POL）
熒光用來觀察芯片表面
BF
FLUO
BF+FLUO
使用宏觀物鏡能夠實現迅速觀察大范圍樣本，下圖是0.7x宏觀物鏡與150x高分辨物鏡的視野對比。
左0.7x
右150x
同一樣品低倍率物鏡的視野對比
0.7x 35.7mm視野范圍
1.25x 20mm視野范圍
2.5x 10mm視野范圍
5x 5mm視野范圍
超高分辨紫外光觀察
可見光下可分辨約0.3um的結構
Resolvable Structures 0.3mm
(Visible light @ 400-750nm)
Resolvable Structures 0.12mm
(UV Light @ 365 nm)
紫外光下可分辨約0.12um的結構 （需特質物鏡）
紫外斜照明
結合斜照明與紫外觀察，可以進一步提升圖像的襯度，視覺上提升圖像的解析能力。
斜照明觀察，可以幫助對于缺陷的正確表征，觀察到常規明場下看不到的缺陷
BF
OBL
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